Z punktu widzenia projektanta obwodów/układów wszystkie zakłócenia związane z wytwarzaniem, bez względu na ich źródło, mogą być sklasyfikowane jako globalne lub lokalne. Globalne zakłócenia dotyczą wszystkich składników w układzie półprzewodnikowym w ten sam sposób, np. zmieniają napięcia progowe wszystkich identycznych tranzystorów MOS w układzie o tą samą wielkość. Lokalne zakłócenia wprowadzają niedopasowanie i wpływają na każdy składnik w różny sposób. W wyniku składniki układu scalonego zaprojektowane jako identyczne i należące do tego tej samej kości mają nieznacznie różne charakterystyki elektryczne.
Syprus wprowadza 3 klasy parametrów dotyczących zakłóceń kroków/etapów wytwarzania oraz wymiarów elementów:
Lokalne zakłócenia determistyczne są zdefiniowane jako te, które mogą być zcharakteryzowane przez determistyczną funkcję pozycji na obrabianej warstwie. Na przykład - temperatura warstwy w piecu może wykazać promienisty rozkład temperatur pośrodku warstwy i nieznacznie mniejszy tuż na obrzeżu.
Lokalne zakłócenia losowe są przyjęte by mieć niezależną losową wartość na każdym punkcie warstwy, bez żadnej przestrzennej współzależności. W SYPRUSie przyjęto, że zakłócenia lokalne i globalne mają normalną funkcję gęstości prawdopodobieństwa. Ich wielkość jest określona przez odchylenia standardowe. Wielkości lokalnych zakłóceń determistycznych są określone przez promienisty współczynnik zmian (radial change factor). Przyjęto, że lokalne zakłócenia deterministyczne pokazują zależność promienistą i promienisty współczynnik zmian jest stosunkiem wartości parametru procesu na obrzeżu układu do wartości w środku, np. jeżeli promienisty współczynnik zmian wynosi 1.01 - wartość parametru na obrzeżu jest 1% większa niż pośrodku.
Na użytek statystycznej symulacji wszystkie elementy zdefiniowane w plikach procesu są traktowane jako zbiór elementów należących do pojedyńczej kości układu scalonego. Dlatego też parametry procesu i wymiary elementów są zakłócane jak następuje. Dla każdej symulowanej kości układu scalonego:
Tak więc wszystkie tranzystory podlegają wpływowi zakłóceń globalnych w ten sam sposób, zaś lokalne zakłócenia wpływają na każdy z nich indywidualnie. Procedura generowania globalnych i lokalnych zakłóceń, zastosowywanie ich, symulowanie procesu wytwarzania i kształtowania elementu jest powtarzane w pętli Monte Carlo tyle razy ile zażąda użytkownik. Liczba symulowanych kości układów scalonych nazywana jest w SYPRUSie rozmiarem próbki sample size. Jeżeli rozmiar próbki wynosi 100 i liczba elementów MOS zdefiniowanych w pliku procesu jest 15, symulacja procesu i kształtowanie elementu będą powtarzane 1500 razy. Mimo że SYPRUS stosuje bardzo wydajne techniki obliczeniowe, taka liczba symulacji może wymagać wiele czasu komputera, szczególnie na starszych i wolniejszych komputerach Macintosh. Aby zredukować nakłady obliczeniowe, SYPRUS dostarcza opcje do pominięcia pojedyńczych symulacji procesu dla pewnych lub wszystkich elementów zdefinowanych w pliku procesu. Dla elementów które mają zaznaczoną kratkę Disturb structure (zakłóć strukturę) w oknie definicji elementu (device definition dialog), proces wytwarzania jest symulowany z użyciem wszystkich rodzajów zakłóceń. Jeżeli ta kratka nie jest zaznaczona, zakłócenia są stosowane tylko do wymiarów elementów. W wyniku tego elementy, które nie mają zaznaczonej kratki Disturb structure będą traktowane jako posiadające identyczne profile domieszkowania, grubości warstw etc. Te profile domieszkowania, grubości warstw etc. są generowane przez symulacje procesu wykonywaną tylko raz dla wszystkich elementów w chipie, które nie mają zaznaczonej kratki Disturb structure.
Zauważ, że SYPRUS pozwala zdefiniować niezerowe standardowe odchylenia również dla wielkości przechowywanych w pliku danych fizycznych. Jak pamiętamy, te wielkości mogą być podzielone na dwie grupy. Pierwsza grupa zawiera parametry matematycznego modelu kroków wytwarzania (mathematical models of processing steps). Druga grupa zawiera wielkości które są niezbędne do kształtowania elementu, ale z różnych powodów nie mogą być wyznaczone z symulacji procesu. Dla pierwszej grupy parametrów bezsensowne jest definiowanie niezerowych odchyleń standardowych lub promienistych współczynników zmiany nie równych 1. Parametry w drugiej grupie podlegają wszystkim rodzajom zakłóceń. Na przykład, dozowanie domieszek NSUB może wykazać deterministyczne promieniste rozmieszczenie zarówno globalnych i lokalnych losowych wariacji. Zatem parametry w drugiej grupie mogą mieć niezerowe odchylenia standardowe i ich promieniste współczynniki zmian mogą róznić się od 1.